<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en">
  <front>
    <journal-meta>
      <journal-id journal-id-type="issn">1561-5405</journal-id>
	    <journal-id journal-id-type="doi">10.24151/1561-5405</journal-id>	  
      <journal-id journal-id-type="publisher-id">Proceedings of Universities. Electronics</journal-id>
      <journal-title-group>
        <journal-title xml:lang="en">Scientifical and technical journal "Proceedings of Universities. Electronics"</journal-title>
        <trans-title-group xml:lang="ru">
          <trans-title>Научно-технический журнал «Известия высших учебных заведений. Электроника»</trans-title>
        </trans-title-group>        
      </journal-title-group>      
      <issn publication-format="print">1561-5405</issn>
      <issn publication-format="online">2587-9960</issn>
      <publisher>
        <publisher-name xml:lang="en">National Research University of Electronic Technology</publisher-name>
        <publisher-name xml:lang="ru">Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"</publisher-name>
      </publisher>
    </journal-meta>
    <article-meta>                                    
      
    <article-id pub-id-type="doi">10.24151/1561-5405-2024-29-5-625-639</article-id><article-id pub-id-type="risc">GIZDIL</article-id><article-id pub-id-type="udk">536.587:537.322</article-id><article-categories><subj-group><subject>Элементы интегральной электроники</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Thermoelectric systems for precision temperature control</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Термоэлектрические системы для прецизионного регулирования температуры</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Штерн Юрий Исаакович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Штерн</surname><given-names>Юрий Исаакович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shtern</surname><given-names>Yuri I.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Yuri I. Shtern</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Штерн Максим Юрьевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Штерн</surname><given-names>Максим Юрьевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Shtern</surname><given-names>Maxim Yu.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Maxim Yu. Shtern</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Рогачев Максим Сергеевич</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Рогачев</surname><given-names>Максим Сергеевич</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Rogachev</surname><given-names>Maxim S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Maxim S. Rogachev</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><string-name xml:lang="ru">Кожевников Яков Серафимович</string-name><name-alternatives><name xml:lang="ru"><surname>Кожевников</surname><given-names>Яков Серафимович</given-names></name><name xml:lang="en"><surname>Kozhevnikov</surname><given-names>Yacov S.</given-names></name></name-alternatives><string-name xml:lang="en">Yacov S. Kozhevnikov</string-name><xref ref-type="aff" rid="AFF-1"/></contrib><aff id="AFF-1" xml:lang="ru">National Research University of Electronic Technology, Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1</aff></contrib-group><pub-date iso-8601-date="2026-01-30" date-type="pub" publication-format="electronic"><day>30</day><month>01</month><year>2026</year></pub-date><volume>Том. 29 №5</volume><fpage>625</fpage><lpage>639</lpage><self-uri>http://ivuz-e.ru/en/issues/Том 29 №5/termoelektricheskie_sistemy_dlya_pretsizionnogo_regulirovaniya_temperatury/</self-uri><abstract xml:lang="en"><p>Upon creation of precision temperature control systems it is necessary to consider many factors affecting the functional and operational characteristics of thermoelectric systems. In this work, the created metrological assurance for studying and monitoring the parameters of thermoelectric materials, structures and devices at all stages of the development and production of thermoelectric systems is considered. The developed and obtained effective nanostructured materials on the basis of BiTeSe and BiSbTe with dimensionless thermoelectric figure of merit of 1.16 and 1.24, respectively, are presented. Complex studies of these materials were carried out, the mechanisms of electrical and thermal conductivity were determined, and the relationship between their structure and parameters was established. The technology of metal-dielectric commutation matrices based on oxidized aluminum alloys for thermoelectric modules was developed. The kinetics of growth of porous anodic oxide films on aluminum alloys was determined. Connection formation techniques and employed contact materials in thermoelectric modules are substantiated, the specific contact resistance of which is 10–9 Ohm·m2 and the adhesion strength is up to 19 MPa. A technology for sealing thermoelectric modules with increased reliability and mechanical strength was developed. Design criteria were determined and justified, based on which the power supplies for thermoelectric systems were manufactured, having low pulsation level (0.3 %) and high efficiency (93 %). To calculate temperature in electronic thermometers mathematical models allowing the temperature determination within the accuracy of 5·10–3 K have been developed and justified. The presented high-precision electronic temperature measuring instruments, as well as precision thermoelectric thermostats, calibrators, heat and cold chambers have operating temperatures ranging from –50 to +60 °C.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>При создании прецизионных систем регулирования температуры необходимо учитывать множество факторов, которые влияют на функциональные и эксплуатационные характеристики термоэлектрических систем. В работе рассмотрено метрологическое обеспечение для исследования и контроля параметров термоэлектрических материалов, структур и приборов на всех этапах разработки и изготовления термоэлектрических систем. Представлены разработанные и полученные эффективные наноструктурированные материалы на основе BiTeSe и BiSbTe с безразмерной термоэлектрической добротностью 1,16 и 1,24 соответственно. Проведены комплексные исследования данных материалов, определены механизмы электро- и теплопроводности, установлена взаимосвязь между структурой и их параметрами. Разработана технология металл-диэлектрических коммутационных матриц на основе оксидированных сплавов алюминия для термоэлектрических модулей. Определена кинетика роста пористых анодных оксидных пленок на сплавах алюминия. Обоснованы способы формирования и применения материалов контактов в термоэлектрических модулях, удельное контактное сопротивление которых равно 10–9 Ом·м2, а адгезионная прочность составляет до 19 МПа. Разработана технология герметизации термоэлектрических модулей с повышенной надежностью и механической прочностью. Определены и обоснованы критерии проектирования, на основе которых изготовлены источники питания для термоэлектрических систем с низким уровнем пульсаций &amp;#40;0,3 &amp;#37;&amp;#41; и высоким КПД &amp;#40;93 &amp;#37;&amp;#41;. Для расчета температуры в электронных термометрах разработаны и подтверждены математические модели, позволяющие определять температуру с точностью до 5·10–3 К. Представленные высокоточные электронные средства измерения температуры, а также прецизионные термоэлектрические термостаты, калибраторы, камеры тепла и холода имеют рабочие температуры от –50 до &amp;#43;60 °С.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>precision thermoelectric system</kwd><kwd>thermoelectric materials</kwd><kwd>thermoelectric modules</kwd><kwd>thermoelectric devices</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>precision thermoelectric system</kwd><kwd>thermoelectric materials</kwd><kwd>thermoelectric modules</kwd><kwd>thermoelectric devices</kwd></kwd-group><funding-group><funding-statement xml:lang="ru">работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 20-19-00494).</funding-statement><funding-statement xml:lang="ru">the work has been supported by the Russian Science Foundation (project no. 20-19-00494).</funding-statement></funding-group></article-meta>
  </front>
  <body/>
  <back>
    <ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Salah W. A., Abuhelwa M. Review of thermoelectric cooling devices recent applications // JESTEC. 2020. Vol. 15. No. 1. P. 455–476.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Zaferani S. H., Sams M. W., Ghomashchi R., Chen Z.-G. Thermoelectric coolers as thermal management systems for medical applications: Design, optimization, and advancement // Nano Energy. 2021. Vol. 90 (A). Art. ID: 106572. https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.106572</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Siddique A. R. M., Venkateshwar K., Mahmud S., Heyst B. van. Performance analysis of bismuth-antimony-telluride-selenium alloy-based trapezoidal-shaped thermoelectric pallet for a cooling application // Energy Convers. Manag. 2020. Vol. 222. Art. ID: 113245. https://doi.org/10.1016/j.enconman.2020.113245</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Разработка математических моделей для интеллектуальных систем управления прецизионным термическим оборудованием / Ю. И. Штерн, Я. С. Кожевников, В. М. Рыков и др. // Изв. вузов. Электроника. 2010. № 2 (82). С. 52–59. EDN: LMCYMD.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Штерн Ю. И., Кожевников Я. С., Рыков В. М., Миронов Р. Е. Математические модели и аппаратно-программные средства для высокоточных электронных измерителей температуры // Изв. вузов. Электроника. 2013. № 1 (99). С. 10–17. EDN: PWUTDF.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Theoretical and experimental investigations of thermoelectric refrigeration box used for medical service / R.-R. He, H.-Y. Zhong, Y. Cai et al. // Procedia Engineering. 2017. Vol. 205. P. 1215–1222. https://doi.org/10.1016/j.proeng.2017.10.356</mixed-citation></ref><ref id="B7"><label>7.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Review of experimental approaches for improving zT of thermoelectric materials / Z. Ma, J. Wei, P. Song et al. // Mater. Sci. Semicond. Process. 2021. Vol. 121. Art. ID: 105303. https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105303</mixed-citation></ref><ref id="B8"><label>8.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Compromise and synergy in high‐efficiency thermoelectric materials / T. Zhu, Y. Liu, C. Fu et al. // Adv. Mater. 2017. Vol. 29. Iss. 14. Art. ID: 1605884. https://doi.org/10.1002/adma.201605884</mixed-citation></ref><ref id="B9"><label>9.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Современное состояние термоэлектрического материаловедения и поиск новых эффективных материалов / А. А. Шерченков, Ю. И. Штерн, Р. Е. Миронов и др. // Российские нанотехнологии. 2015. Т. 10. № 11-12. С. 22–32. EDN: VBTZWL.</mixed-citation></ref><ref id="B10"><label>10.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Штерн М. Ю. Наноструктурированные термоэлектрические материалы для температур 200–1200 К, полученные искровым плазменным спеканием // Изв. вузов. Электроника. 2022. Т. 27. № 6. С. 695–706. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2022-27-6-695-706. – EDN: QVLUDB.</mixed-citation></ref><ref id="B11"><label>11.</label><mixed-citation xml:lang="ru">A review on fundamentals, design and optimization to high zT of thermoelectric materials for application to thermoelectric technology / A. Kumar, S. Bano, B. Govind et al. // J. Electron. Mater. 2021. Vol. 50. P. 6037–6059. https://doi.org/10.1007/s11664-021-09153-7</mixed-citation></ref><ref id="B12"><label>12.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Processing of advanced thermoelectric materials / J. Li, Y. Pan, C. Wu et al. // Sci. China Technol. Sci. 2017. Vol. 60. P. 1347–1364. https://doi.org/10.1007/s11431-017-9058-8</mixed-citation></ref><ref id="B13"><label>13.</label><mixed-citation xml:lang="ru">A review on recent developments of thermoelectric materials for room-temperature applications / Z. Soleimani, S. Zoras, B. Ceranic et al. // Sustainable Energy Technol. Assess. 2020. Vol. 37. Art. ID: 100604. https://doi.org/10.1016/j.seta.2019.100604</mixed-citation></ref><ref id="B14"><label>14.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Cai B., Hu H., Zhuang H.-L., Li J.-F. Promising materials for thermoelectric applications // J. Alloys Compd. 2019. Vol. 806. P. 471–486. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2019.07.147</mixed-citation></ref><ref id="B15"><label>15.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Shi X.-L., Zou J., Chen Z.-G. Advanced thermoelectric design: From materials and structures to devices // Chem. Rev. 2020. Vol. 120. Iss. 15. P. 7399–7515. https://doi.org/10.1021/acs.chemrev.0c00026</mixed-citation></ref><ref id="B16"><label>16.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Recent advances in inorganic material thermoelectrics / P. Ren, Y. Liu, J. He et al. // Inorg. Chem. Front. 2018. Vol. 5. Iss. 10. P. 2380–2398. https://doi.org/10.1039/C8QI00366A</mixed-citation></ref><ref id="B17"><label>17.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Thin-film contact systems for thermocouples operating in a wide temperature range / M. Shtern, M. Rogachev, Yu. Shtern et al. // J. Alloys Compd. 2021. Vol. 852. Art. ID: 156889. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.156889</mixed-citation></ref><ref id="B18"><label>18.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Pulsed-light surface annealing for low contact resistance interfaces between metal electrodes and bismuth telluride thermoelectric materials / G. Joshi, D. Mitchell, J. Ruedin et al. // J. Mater. Chem. C. 2019. Vol. 7. Iss. 3. P. 479–483. https://doi.org/10.1039/C8TC03147A</mixed-citation></ref><ref id="B19"><label>19.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Electrical contact uniformity and surface oxidation of ternary chalcogenide alloys / P. A. Sharma, M. Brumbach, D. P. Adams et al. // AIP Advances. 2019. Vol. 9. Iss. 1. Art. No. 015125. https://doi.org/10.1063/1.5081818</mixed-citation></ref><ref id="B20"><label>20.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Liu W., Bai S. Thermoelectric interface materials: A perspective to the challenge of thermoelectric power generation module // J. Materiomics. 2019. Vol. 5. Iss. 3. P. 321–336. https://doi.org/10.1016/j.jmat.2019.04.004</mixed-citation></ref><ref id="B21"><label>21.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Semenyuk V. Effect of electrical contact resistance on the performance of cascade thermoelectric coolers // J. Electron. Mater. 2019. Vol. 48. Iss. 4. P. 1870–1876. https://doi.org/10.1007/s11664-018-6785-5</mixed-citation></ref><ref id="B22"><label>22.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Штерн Ю. И. Технология получения и исследование пористых оксидных пленок на сплавах алюминия // Журнал прикладной химии. 2008. Т. 81. № 4. С. 546–550. EDN: JSBCRR.</mixed-citation></ref><ref id="B23"><label>23.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Thermoelectric properties of efficient thermoelectric materials on the basis of bismuth and antimony chalcogenides for multisection thermoelements / M. Shtern, M. Rogachev, Yu. Shtern et al. // J. Alloys Compd. 2021. Vol. 877. Art. ID: 160328. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.160328</mixed-citation></ref><ref id="B24"><label>24.</label><mixed-citation xml:lang="ru">Han J.-K., Shin D.-W., Madavali B., Hong S.-J. Investigation of spark plasma sintering temperature on microstructure and thermoelectric properties of p-type Bi-Sb-Te alloys // J. Powder Mater. 2017. Vol. 24 (2). P. 115–121. https://doi.org/10.4150/KPMI.2017.24.2.115</mixed-citation></ref></ref-list>    
  </back>
</article>
